高密度・高密度・低Particle靶材製作技術
三井金屬的濺鍍靶材，是顯示器與半導體領域薄膜形成不可或缺的重要材料。特別是在應用於 LCD 與 OLED 的 ITO 透明導電膜，以及次世代裝置備受關注的 IGZO 氧化物半導體靶材方面，擁有豐富實績。透過獨特的漿料成形技術，抑制Nodule及Particle的產生，進而實現「高密度・低Particle・大型化」，對高品質薄膜及穩定的成膜製程有所貢獻。
不僅可對應平面靶材，也具備圓柱靶材的量產能力，符合客戶最新設備的高效率成膜製程。此外，作為可一貫進行銦（Indium）／鎵（Gallium）廢料精製與回收的製造商，在實現稀有資源循環利用與穩定供應的同時，為客戶的製造線提供持續性價值。
靶材的種類
濺鍍靶材依用途可分為金屬系、氧化物系，以及氮化物、碳化物等化合物系。
除用於顯示器的 ITO 透明導電膜與 IGZO 氧化物半導體外，亦廣泛應用於半導體配線材料與工具用硬質塗層膜。
近年來，也逐步擴展至鈣鈦礦（Perovskite）太陽能電池的薄膜形成用途。
三井金屬提供具備優異均質性、高密度與組成控制能力的高品質靶材，以滿足各類應用需求。
採用獨自MMF法的靶材製造技術
三井金屬的靶材，採用獨自的 MMF 法（漿料成形）進行製造。
此製法係將微細化之原料粉末製成漿料並均勻成形，可實現高密度且缺陷少的靶材。
透過此製程，不僅可對應大型化與複雜形狀，亦在 ITO、IGZO 等薄膜形成所需的膜質穩定性方面具有優勢。
